ano”。 台积电的N2制程是其首个依赖全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管的工艺技术。 与上一代N3(3nm级)相比,N2工艺在同等功耗下性能可提升15%,在同等性能下功耗降低24%至35%,晶体管密度提升至1.15倍。 去年,“Ve
性能计算的边界。” 【本文结束】如需转载请务必注明出处: 责任编辑:鹿
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